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SUR L'IRRADIATION A HAUTE TEMPERATURE DES CRISTAUX DE SEMI-CONDUCTEURSVASIL'EV AV; RYBAKOVA LA; SMIRNOV LS et al.1973; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1973; VOL. 7; NO 2; PP. 327-331; BIBL. 11 REF.Serial Issue

FORMATION DE DEFAUTS DANS LE SILICIUM AUX TEMPERATURES D'IRRADIATION ELEVEESBOLOTOV VV; VASIL'EV AV; SMIRNOV LS et al.1976; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 10; NO 9; PP. 1670-1674; BIBL. 23 REF.Article

INTERACTION DES DEFAUTS ET D'UNE IMPURETE STIMULEE PAR L'IONISATION INDUITE DANS LES COUCHES DE SILICIUM IMPLANTEESDVURECHENSKIJ AV; RYAZANTSEV IA; SMIRNOV LS et al.1979; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1979; VOL. 13; NO 3; PP. 452-455; BIBL. 10 REF.Article

SOLAR ELEMENTS MADE OF GALLIUM ARSENIDE OBTAINED BY ION BOMBARDMENTGAVRILOV AA; KACHURIN GA; SMIRNOV LS et al.1975; GELIOTEKHNIKA, UZBEK. S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1975; NO 6; PP. 20-24; BIBL. 8 REF.Article

ANALYSE OPTIQUE DE LA MORPHOLOGIE DU RELIEF EOLIEN D'APRES DES PHOTOS AERIENNES (EN RELATION AVEC L'EFFET DES FORCES DE CORIOLISMIRKIN GR; VILENSKAYA BG; SMIRNOV LS et al.1974; DOKL. AKAD. NAUK S.S.S.R.; SUN; 1974, VOL. 219, NUM. 0001, P. 167 A 170Serial Issue

DIFFUSION D'HYDROGENE DANS LE SILICIUM AMORPHEDVURECHENSKIJ AV; RYAZANTSEV IA; SMIRNOV LS et al.1982; FIZIKA I TEHNIKA POLUPROVODNIKOV; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1982; VOL. 16; NO 4; PP. 621-624; BIBL. 12 REF.Article

BEHAVIOUR OF A BUILT-IN CHARGE IN A DIELECTRIC AT PULSED ANNEALING OF SI-SIO₂ STRUCTURESKADYRAKUNOV KB; NIDAEV EV; SMIRNOV LS et al.1982; PHYSICA STATUS SOLIDI. (A). APPLIED RESEARCH; ISSN 0031-8965; DDR; DA. 1982; VOL. 70; NO 1; PP. K15-K17; BIBL. 7 REF.Article

DOPAGE IONIQUE DE L'ARSENIURE DE GALLIUMZELEVINSKAYA VM; KACHURIN GA; SMIRNOV LS et al.1973; MIKROELEKTRONIKA; S.S.S.R.; DA. 1973; VOL. 2; NO 3; PP. 252-258; BIBL. 27 REF.Serial Issue

CINETIQUE DE L'ACCUMULATION DU NITRURE DE SILICIUM LORS DU BOMBARDEMENT DU SILICIUM PAR DES IONS D'AZOTELEZHEJKO LV; LYUBOPYTOVA EV; SMIRNOV LS et al.1981; Z. TEH. FIZ.; ISSN 0044-4642; SUN; DA. 1981; VOL. 51; NO 4; PP. 818-822; BIBL. 6 REF.Article

ACCUMULATION DE CENTRES DE RECOMBINAISON RADIATIVE DANS LE SILICIUM LORS DE L'IRRADIATION ELECTRONIQUE A HAUTE TEMPERATURESAFRONOV LN; SMIRNOV LS; TISHKOVSKIJ EG et al.1980; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1980; VOL. 14; NO 1; PP. 118-123; BIBL. 8 REF.Article

IMPLANTATION D'IONS DANS L'ANTIMONIURE D'INDIUM A HAUTES TEMPERATURESBOGATYREV VA; KACHURIN GA; SMIRNOV LS et al.1978; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1978; VOL. 12; NO 1; PP. 102-105; BIBL. 11 REF.Article